PEMF21,115
PEMF21,115

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Nexperia USA Inc. PEMF21,115

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型号

PEMF21,115

utmel 编号

1729-PEMF21,115

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置

封装

SOT-563, SOT-666

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666

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PEMF21,115
PEMF21,115 Nexperia USA Inc. TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666

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PEMF21,115详情

Nexperia USA Inc. PEMF21,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    26 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-563, SOT-666

  • 引脚数

    6

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    12V

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    100mA 500mA

  • Number of Elements

    2

  • hFEMin

    200

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2009

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -65°C

  • 附加功能

    BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

  • 最大功率耗散

    300mW

  • 终端形式

    FLAT

  • 基本部件号

    PEMF21

  • 引脚数量

    6

  • 极性

    NPN, PNP

  • 元素配置

    Dual

  • 功率耗散

    200mW

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 晶体管类型

    1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    300mV

  • 最大集电极电流

    500mA

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    30 @ 5mA 5V / 200 @ 10mA 2V

  • 最大集极截止电流

    1μA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    300mV @ 500μA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    50V 12V

  • 最高频率

    280MHz

  • 转换频率

    280MHz

  • 最大击穿电压

    12V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    -6V

  • 电阻基(R1)

    10k Ω

  • 连续集电极电流

    -500mA

  • 电阻-发射极基极(R2)

    10k Ω

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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右边的3个型号有着和Nexperia USA Inc. & PEMF21,115相似的参数规格。

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PEMF21,115拓展信息

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