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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.253832
10
¥4.013044
100
¥3.785891
500
¥3.571597
1000
¥3.369432
Nexperia USA Inc. PEMF21,115
- 收藏
- 对比
PEMF21,115
1729-PEMF21,115
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
SOT-563, SOT-666
大陆
立即发货

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PEMF21,115详情
Nexperia USA Inc. PEMF21,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
26 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
引脚数
6
Collector-Emitter Breakdown Voltage
12V
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA 500mA
Number of Elements
2
hFEMin
200
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大功率耗散
300mW
终端形式
FLAT
基本部件号
PEMF21
引脚数量
6
极性
NPN, PNP
元素配置
Dual
功率耗散
200mW
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
集电极发射器电压(VCEO)
300mV
最大集电极电流
500mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
30 @ 5mA 5V / 200 @ 10mA 2V
最大集极截止电流
1μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 500μA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V 12V
最高频率
280MHz
转换频率
280MHz
最大击穿电压
12V
发射极基极电压 (VEBO)
-6V
电阻基(R1)
10k Ω
连续集电极电流
-500mA
电阻-发射极基极(R2)
10k Ω
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
PEMF21,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
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