PEMH13,115备选型号: PBLS1504V,115
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 极性
- 配置
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 晶体管类型
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 电阻基(R1)
- 电阻-发射极基极(R2)
- RoHS状态
- HTS代码
- 端子位置
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 功率 - 最大
- 极性/通道类型
- 转换频率
- 频率转换
- 最大耗散功率(Abs)
- TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT6664 Weeks表面贴装SOT-563, SOT-666YES6SILICON100mATape & Reel (TR)2001e3活跃1 (Unlimited)6EAR99Tin (Sn)BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10FLAT未说明未说明6不合格NPNSEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR300mWSWITCHING2 NPN - Pre-Biased (Dual)100 @ 10mA 5V1μA100mV @ 250μA, 5mA50V4.7k Ω47k ΩROHS3 Compliant---------
- TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666-表面贴装SOT-563, SOT-666YES-SILICON100mA 500mATape & Reel (TR)2009e3Obsolete1 (Unlimited)6EAR99Tin (Sn)BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1FLAT未说明未说明6不合格-SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR-SWITCHING1 NPN Pre-Biased, 1 PNP60 @ 5mA 5V / 150 @ 100mA 2V1μA 100nA150mV @ 500μA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA50V 15V22k Ω22k ΩROHS3 Compliant8541.21.00.75DUALPBLS1504R-PDSO-F6300mWNPN和PNP280MHz280MHz0.3W
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PBLS1503V,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置 | SOT-563, SOT-666 | TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666 | 对比 |
![]() | PBSS4140V,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | SOT-563, SOT-666 | TRANS NPN 40V 1A SOT666 | 对比 |



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