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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.08275
10
¥2.908251
100
¥2.743636
500
¥2.588333
1000
¥2.44183
Nexperia USA Inc. PEMH13,115
- 收藏
- 对比
PEMH13,115
1729-PEMH13,115
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
SOT-563, SOT-666
大陆
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TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PEMH13,115详情
Nexperia USA Inc. PEMH13,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
表面安装
YES
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
Number of Elements
2
Operating Temperature (Max.)
150°C
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2001
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
6
资历状况
不合格
极性
NPN
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
功率耗散
300mW
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 10mA 5V
最大集极截止电流
1μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
100mV @ 250μA, 5mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
电阻基(R1)
4.7k Ω
电阻-发射极基极(R2)
47k Ω
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PEMH13,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
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