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首页 全部分类 PEMH4,115 vs PEMF21,115

PEMH4,115备选型号: PEMF21,115

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  • 终端形式
  • 基本部件号
  • 引脚数量
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  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
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  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 最大击穿电压
  • 电阻基(R1)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 最高频率
  • 转换频率
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 连续集电极电流
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • 无铅
  • Nexperia USA Inc.
    PEMH4,115
    Nexperia USA Inc.
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    6
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    SMD/SMT
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -65°C
    BUILT-IN BIAS RESISTOR
    300mW
    FLAT
    P*MH4
    6
    NPN
    Dual
    300mW
    SWITCHING
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
    50V
    100mA
    200 @ 1mA 5V
    1μA
    150mV @ 500μA, 10mA
    50V
    10k Ω
    0m
    0m
    0m
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Nexperia USA Inc.
    PEMF21,115
    Nexperia USA Inc.
    TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    6
    12V
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    -
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -65°C
    BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
    300mW
    FLAT
    PEMF21
    6
    NPN, PNP
    Dual
    200mW
    SWITCHING
    1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
    300mV
    500mA
    30 @ 5mA 5V / 200 @ 10mA 2V
    1μA
    300mV @ 500μA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
    12V
    10k Ω
    -
    -
    -
    -
    无
    符合RoHS标准
    50V 12V
    280MHz
    280MHz
    -6V
    -500mA
    10k Ω
    无铅
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