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首页 全部分类 PH2525L,115 vs FDMS8820

PH2525L,115备选型号: FDMS8820

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
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  • 终端形式
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • 无铅代码
  • 元素配置
  • JEDEC-95代码
  • Nexperia USA Inc.
    PH2525L,115
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
    表面贴装
    表面贴装
    SC-100, SOT-669
    5
    SILICON
    100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    TrenchMOS™
    2006
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    4
    R-PSSO-G4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    62.5W
    DRAIN
    41 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.5m Ω @ 25A, 10V
    2.15V @ 1mA
    4470pF @ 12V
    34.7nC @ 4.5V
    92ns
    ±20V
    37 ns
    100A
    20V
    0.0039Ohm
    25V
    300A
    320 mJ
    1.1mm
    5mm
    4.1mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS8820
    ON Semiconductor
    MOSFET NCh 30V 116A 2.4mOhm
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    28A Ta 116A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    -
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    -
    R-PDSO-F5
    -
    增强型MOSFET
    78W
    DRAIN
    14 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2m Ω @ 28A, 10V
    2.5V @ 250μA
    5315pF @ 15V
    88nC @ 10V
    16ns
    ±20V
    13 ns
    116A
    20V
    0.002Ohm
    30V
    -
    294 mJ
    1.05mm
    5mm
    6mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    18 Weeks
    68.1mg
    yes
    Single
    MO-240AA
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