Nexperia USA Inc. PH2525L,115

包装/外壳

SC-100, SOT-669

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

53 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.15V @ 1mA

Power Dissipation (Max)

62.5W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A Tc

已出版

2006

系列

TrenchMOS™

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

62.5W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

41 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.5m Ω @ 25A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4470pF @ 12V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

34.7nC @ 4.5V

上升时间

92ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

37 ns

连续放电电流(ID)

100A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0039Ohm

漏源击穿电压

25V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

300A

雪崩能量等级（Eas）

320 mJ

宽度

4.1mm

长度

5mm

高度

1.1mm

RoHS状态

符合RoHS标准

辐射硬化

无

无铅

无铅