PH2625L,115备选型号: PH3330L,115
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 表面安装
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- HTS代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK表面贴装表面贴装SC-100, SOT-6695100A TcCut Tape (CT)TrenchMOS™2011e3Discontinued1 (Unlimited)4EAR99Tin (Sn)150°C-55°C62.5WSINGLE鸥翼4R-PSSO-G4SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET62.5WDRAIN41 nsN-ChannelSWITCHING2.8m Ω @ 25A, 10V2V @ 1mA4308pF @ 12V32nC @ 4.5V52ns30 ns100A20V25V300A无ROHS3 Compliant无铅--------------
- MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK-表面贴装SC-100, SOT-669-100A TcTape & Reel (TR)TrenchMOS™2008e3Obsolete1 (Unlimited)4EAR99Matte Tin (Sn)---SINGLE鸥翼4R-PSSO-G4SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET---N-ChannelSWITCHING3.3m Ω @ 25A, 10V2.15V @ 1mA4840pF @ 12V30.5nC @ 4.5V-----300A-ROHS3 Compliant-YESSILICON-55°C~150°C TJ8541.29.00.95未说明not_compliant未说明不合格30V±20V100A0.0033Ohm30V245 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PH3330L,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SC-100, SOT-669 | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | 对比 |




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