PH2925U,115备选型号: PMV30XN,215

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 漏源电压 (Vdss)
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 源Url状态检查日期
  • Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
    12 Weeks
    表面贴装
    SC-100, SOT-669
    YES
    4
    SILICON
    100A Tc
    950mV @ 1mA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    TrenchMOS™
    2009
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    62.5W
    DRAIN
    30 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3m Ω @ 25A, 4.5V
    6150pF @ 10V
    92nC @ 4.5V
    80ns
    ±10V
    114 ns
    100A
    10V
    25V
    25V
    300A
    250 mJ
    1.1mm
    5mm
    5mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    N-Channel 20V 3.2A (Ta) 380mW (Ta) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
    -
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    YES
    3
    SILICON
    3.2A Ta
    1.5V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2013
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    -
    Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    35m Ω @ 3.2A, 4.5V
    420pF @ 15V
    7.4nC @ 4.5V
    -
    ±12V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    IEC-60134
    R-PDSO-G3
    20V
    TO-236AB
    3.2A
    0.035Ohm
    20V
    2013-06-14 00:00:00
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
PMV30XN,215 PMV30XN,215 NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 N-Channel 20V 3.2A (Ta) 380mW (Ta) Surface Mount TO-236AB (SOT23) 对比
PMPB12UN,115 PMPB12UN,115 NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 6-UDFN Exposed Pad MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN 对比