PH2925U,115备选型号: PMV30XN,215
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 配置
- 通道数量
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 参考标准
- JESD-30代码
- 漏源电压 (Vdss)
- JEDEC-95代码
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 源Url状态检查日期
- MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK12 Weeks表面贴装SC-100, SOT-669YES4SILICON100A Tc950mV @ 1mA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)TrenchMOS™2009e3活跃1 (Unlimited)4EAR99Tin (Sn)SINGLE鸥翼SINGLE WITH BUILT-IN DIODE1增强型MOSFET62.5WDRAIN30 nsN-ChannelSWITCHING3m Ω @ 25A, 4.5V6150pF @ 10V92nC @ 4.5V80ns±10V114 ns100A10V25V25V300A250 mJ1.1mm5mm5mm无ROHS3 Compliant无铅--------
- N-Channel 20V 3.2A (Ta) 380mW (Ta) Surface Mount TO-236AB (SOT23)-表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3YES3SILICON3.2A Ta1.5V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2013e3Obsolete1 (Unlimited)3-Tin (Sn)DUAL鸥翼SINGLE WITH BUILT-IN DIODE-增强型MOSFET---N-ChannelSWITCHING35m Ω @ 3.2A, 4.5V420pF @ 15V7.4nC @ 4.5V-±12V-----------ROHS3 Compliant-IEC-60134R-PDSO-G320VTO-236AB3.2A0.035Ohm20V2013-06-14 00:00:00
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PMV30XN,215 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | N-Channel 20V 3.2A (Ta) 380mW (Ta) Surface Mount TO-236AB (SOT23) | 对比 |
![]() | PMPB12UN,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN | 对比 |





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