Nexperia USA Inc. PH2925U,115

工厂交货时间

12 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-100, SOT-669

表面安装

YES

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

62.5W Tc

Turn Off Delay Time

258 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

950mV @ 1mA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchMOS™

已出版

2009

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

62.5W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

30 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3m Ω @ 25A, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6150pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

92nC @ 4.5V

上升时间

80ns

Vgs（最大值）

±10V

下降时间（典型值）

114 ns

连续放电电流(ID)

100A

栅极至源极电压(Vgs)

10V

最大双电源电压

25V

漏源击穿电压

25V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

300A

雪崩能量等级（Eas）

250 mJ

高度

1.1mm

长度

5mm

宽度

5mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅