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首页 全部分类 PHP110NQ06LT,127 vs IPP80N06S2L07AKSA2

PHP110NQ06LT,127备选型号: IPP80N06S2L07AKSA2

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 无铅代码
  • 附加功能
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大双电源电压
  • NXP USA Inc.
    PHP110NQ06LT,127
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
    通孔
    TO-220-3
    NO
    3
    SILICON
    75A Tc
    2V @ 1mA
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchMOS™
    1997
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    SINGLE
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    7m Ω @ 25A, 10V
    3960pF @ 25V
    45nC @ 5V
    55V
    ±15V
    TO-220AB
    75A
    0.0093Ohm
    240A
    55V
    280 mJ
    unknown
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP80N06S2L07AKSA2
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
    通孔
    TO-220-3
    -
    3
    SILICON
    80A Tc
    2V @ 150μA
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2006
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    SINGLE
    未说明
    未说明
    -
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    -
    7m Ω @ 60A, 10V
    3160pF @ 25V
    130nC @ 10V
    -
    ±20V
    TO-220AB
    -
    0.01Ohm
    -
    -
    450 mJ
    -
    ROHS3 Compliant
    10 Weeks
    通孔
    yes
    逻辑电平兼容
    80A
    55V
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