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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥13.171989
10
¥12.426405
100
¥11.723024
500
¥11.059456
1000
¥10.433449
Infineon Technologies IPP80N06S2L07AKSA2
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- 对比
IPP80N06S2L07AKSA2
1211-IPP80N06S2L07AKSA2
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
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MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPP80N06S2L07AKSA2详情
Infineon Technologies IPP80N06S2L07AKSA2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
80A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
210W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
OptiMOS™
已出版
2006
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
附加功能
逻辑电平兼容
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
7m Ω @ 60A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 150μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3160pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
130nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
80A
JEDEC-95代码
TO-220AB
最大双电源电压
55V
漏极-源极导通最大电阻
0.01Ohm
雪崩能量等级(Eas)
450 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IPP80N06S2L07AKSA2拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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