PHP191NQ06LT,127备选型号: BUK9509-40B,127

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 安装类型
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 宽度
  • 高度
  • 长度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
    12 Weeks
    TO-220-3
    NO
    通孔
    3
    6.000006g
    SILICON
    75A Tc
    2V @ 1mA
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchMOS™
    2010
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    1
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    63 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.7m Ω @ 25A, 10V
    7665pF @ 25V
    95.6nC @ 5V
    232ns
    ±15V
    178 ns
    75A
    15V
    55V
    0.0044Ohm
    55V
    240A
    560 mJ
    4.7mm
    9.4mm
    10.3mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
  • Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
    -
    TO-220-3
    NO
    通孔
    3
    -
    SILICON
    75A Tc
    2V @ 1mA
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchMOS™
    -
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    逻辑电平兼容
    -
    Single
    增强型MOSFET
    157W
    DRAIN
    29 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    7m Ω @ 25A, 10V
    3600pF @ 25V
    32nC @ 5V
    106ns
    ±15V
    89 ns
    95A
    15V
    40V
    -
    40V
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    Tin
    TO-220AB
    75A
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