Nexperia USA Inc. PHP191NQ06LT,127

工厂交货时间

12 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

引脚数

3

质量

6.000006g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

75A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

300W Tc

Turn Off Delay Time

273 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

TrenchMOS™

已出版

2010

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

逻辑电平兼容

引脚数量

3

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

63 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.7m Ω @ 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7665pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

95.6nC @ 5V

上升时间

232ns

Vgs（最大值）

±15V

下降时间（典型值）

178 ns

连续放电电流(ID)

75A

栅极至源极电压(Vgs)

15V

最大双电源电压

55V

漏极-源极导通最大电阻

0.0044Ohm

漏源击穿电压

55V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

240A

雪崩能量等级（Eas）

560 mJ

高度

9.4mm

长度

10.3mm

宽度

4.7mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant