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PHP191NQ06LT,127备选型号: BUK9609-55A,118
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 表面安装
- 安装类型
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 宽度
- 高度
- 长度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- HTS代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 漏源电压 (Vdss)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- DS 击穿电压-最小值
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB12 WeeksTO-220-3NO通孔36.000006gSILICON75A Tc2V @ 1mA-55°C~175°C TJTubeTrenchMOS™2010e3活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)逻辑电平兼容1Single增强型MOSFET300WDRAIN63 nsN-ChannelSWITCHING3.7m Ω @ 25A, 10V7665pF @ 25V95.6nC @ 5V232ns±15V178 ns75A15V55V0.0044Ohm55V240A560 mJ4.7mm9.4mm10.3mm无ROHS3 Compliant------------
MOSFET TAPE13 PWR-MOS-TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABYES表面贴装3-SILICON211W Tc2V @ 1mA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)TrenchMOS™2011e3Obsolete1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)---增强型MOSFET-DRAIN-N-ChannelSWITCHING8m Ω @ 25A, 10V4633pF @ 25V60nC @ 5V-±15V----0.01Ohm-433A400 mJ----ROHS3 Compliant8541.29.00.75SINGLE鸥翼未说明未说明R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE55V75A55Vnot_compliant- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BUK6E3R2-55C,127 | Nexperia USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 55V 120A I2PAK | 对比 |
| BUK9609-55A,118 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | 对比 |
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