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PHT6N06LT,135备选型号: NIF9N05CLT3G
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- 晶体管元件材料
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 关断时间-最大值（toff)
- 接通时间-最大值(ton)
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 底架
- 引脚数
- 无铅代码
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET, N, REEL 4K表面贴装TO-261-4, TO-261AAYESSILICON2.5A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)TrenchMOS™1998e3Obsolete1 (Unlimited)4EAR99Tin (Sn)8541.29.00.75DUAL鸥翼未说明未说明4R-PDSO-G4不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING150m Ω @ 5A, 5V2V @ 1mA330pF @ 25V4.5nC @ 5V55V±13V2.5A0.15Ohm10A55V15 mJ50 pF76ns77nsROHS3 Compliant---------------
MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223表面贴装TO-261-4, TO-261AA-SILICON2.6A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2006e3Obsolete3 (168 Hours)4EAR99Tin (Sn)-DUAL鸥翼260404--SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING125m Ω @ 2.6A, 10V2.5V @ 100μA250pF @ 35V7nC @ 4.5V59V±15V--------符合RoHS标准CONSULT SALES OFFICE (Last Updated: 4 days ago)表面贴装4yes逻辑电平兼容52V2.6A1.69W290ns290 ns2.6A15V52V无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRLL014NTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 55V 2A SOT223 | 对比 |
| NIF9N05CLT3 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223 | 对比 |
| NIF9N05CLT3G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223 | 对比 |
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