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PHT6N06T,135备选型号: BSH111,235
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
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- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- HTS代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 触点镀层
- 引脚数
- 元素配置
- 功率耗散
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏源击穿电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223表面贴装TO-261-4, TO-261AAYESSILICON5.5A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)TrenchMOS™1997e3Obsolete1 (Unlimited)4EAR99Tin (Sn)防静电8541.29.00.75DUAL鸥翼未说明未说明4R-PDSO-G4不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING150m Ω @ 5A, 10V4V @ 1mA175pF @ 25V5.6nC @ 10V55V±20V5.5A0.15Ohm22A55V15 mJROHS3 Compliant----------
MOSFET N-CH 55V 0.335A SOT23表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3YESSILICON335mA Ta-65°C~150°C TJTape & Reel (TR)TrenchMOS™1997e3Obsolete1 (Unlimited)3EAR99-快速切换8541.29.00.75DUAL鸥翼260303---增强型MOSFET-N-ChannelSWITCHING4 Ω @ 500mA, 4.5V1.3V @ 1mA40pF @ 10V1nC @ 8V-±10V-4Ohm---符合RoHS标准Tin3Single830mW335mA10V55V55V10 pF无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | PMPB40SNA,115 | Nexperia USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET N-CH 60V 12.9A 6DFN | 对比 |
| BSH111,235 | Nexperia USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 55V 0.335A SOT23 | 对比 |
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