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首页 全部分类 PIMC31,115 vs MBT35200MT2G

PIMC31,115备选型号: MBT35200MT2G

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  • 引脚数量
  • 极性
  • 元素配置
  • 晶体管应用
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 最大击穿电压
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 电阻基(R1)
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)
  • 功率 - 最大
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • Nexperia USA Inc.
    PIMC31,115
    Nexperia USA Inc.
    PIMC31 - 500 mA, 50 V NPN/PNP double resistor-equipped transistor; R1 = 1 kOhm, R2 = 10 kOhm
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-74, SOT-457
    6
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    BUILT IN BAIS RESISTOR RATIO IS 10
    420mW
    鸥翼
    MC31
    6
    NPN, PNP
    Dual
    SWITCHING
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    50V
    500mA
    70 @ 50mA 5V
    500nA
    300mV @ 2.5mA, 50mA
    50V
    5V
    1k Ω
    10k Ω
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MBT35200MT2G
    ON Semiconductor
    Trans GP BJT PNP 35V 2A 6-Pin TSOP T/R
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    6
    35V
    Tape & Reel (TR)
    2005
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    150°C
    -55°C
    -
    -
    -
    MBT35200
    -
    -
    Single
    -
    PNP
    35V
    2A
    100 @ 1.5A 1.5V
    100nA
    310mV @ 20mA, 2A
    -
    5V
    -
    -
    -
    无
    符合RoHS标准
    -
    100MHz
    625mW
    55V
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