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PMCM4401VNEAZ备选型号: DMC1030UFDBQ-7
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 系列
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 极性/通道类型
- 场效应管技术
- 场效应管特性
MOSFET N-CH 12V WLCSP13 Weeks表面贴装表面贴装4-XFBGA, WLCSPSILICON4.7A Ta900mV @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015活跃1 (Unlimited)4BOTTOMBALL未说明未说明IEC-60134S-PBGA-B4SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING42m Ω @ 3A, 4.5V335pF @ 6V9nC @ 4.5V12V±8V4.7A0.054Ohm12VROHS3 Compliant------------
MOSFET N/P-CH 12V 5.1A UDFN202015 Weeks表面贴装表面贴装6-UDFN Exposed PadSILICON2--55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011活跃1 (Unlimited)6DUAL无铅---S-PDSO-N6SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN and P-Channel ComplementarySWITCHING34m Ω @ 4.6A, 4.5V1003pF @ 6V23.1nC @ 10V12V-5.1A0.034Ohm12VROHS3 CompliantAutomotive, AEC-Q101e4EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)HIGH RELIABILITY1.36WDRAIN1.36W1V @ 250μAN-CHANNEL AND P-CHANNELMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandard- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMP1045UFY4-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 3-XFDFN | MOSFET P-CH 24V X2-DFN2015-3 | 对比 |
 | DMP1045U-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | P-Channel 12 V 31 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3 | 对比 |
 | MCH6336-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 6-SMD, Flat Leads | MOSFET P-CH 12V 5A MCPH6 | 对比 |
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