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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥7.571833
10
¥7.143235
100
¥6.738901
500
¥6.357456
1000
¥5.997603
Diodes Incorporated DMC1030UFDBQ-7
- 收藏
- 对比
DMC1030UFDBQ-7
671-DMC1030UFDBQ-7
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-UDFN Exposed Pad
大陆
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MOSFET N/P-CH 12V 5.1A UDFN2020
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMC1030UFDBQ-7详情
Diodes Incorporated DMC1030UFDBQ-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-UDFN Exposed Pad
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2011
JESD-609代码
e4
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
1.36W
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
JESD-30代码
S-PDSO-N6
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
功率 - 最大
1.36W
场效应管类型
N and P-Channel Complementary
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
34m Ω @ 4.6A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1003pF @ 6V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
23.1nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
12V
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
连续放电电流(ID)
5.1A
漏极-源极导通最大电阻
0.034Ohm
DS 击穿电压-最小值
12V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Standard
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMC1030UFDBQ-7拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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