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PMCM440VNEZ备选型号: IRLML6401GTRPBF
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- ECCN 代码
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 电压 - 阈值
- 上升时间
- 极性/通道类型
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 最大结点温度（Tj）
- 漏源电阻
- 最大rds
- 电容-输入
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET N-CH 12V 4WLCSP13 Weeks表面贴装表面贴装4-XFBGA, WLCSP4SILICON3.9A Ta900mV @ 250μA-55°C~150°C TJCut Tape (CT)2015活跃1 (Unlimited)4BOTTOMBALL未说明未说明IEC-60134S-PBGA-B4SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING67m Ω @ 3A, 4.5V360pF @ 6V8.2nC @ 4.5V12V±8V3.9A0.088Ohm12VROHS3 Compliant------------------------
-表面贴装-TO-236-33-1.3W-----1 (Unlimited)---------------12V--4.3A--符合RoHS标准EAR9950mOhm150°C-55°C1Single1.3W11 ns-550mV32nsP-CHANNEL210 ns8V-12VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR150°C50mOhm50 mΩ830pF1.1mm3.0226mm1.397mm无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRLML6401TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 | 对比 |
 | CPH3348-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 12V 3A CPH3 | 对比 |
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