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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.42868
500
¥0.315202
1000
¥0.26267
2000
¥0.240984
5000
¥0.225221
10000
¥0.209505
15000
¥0.202615
50000
¥0.199232
Nexperia USA Inc. PMCM440VNEZ
- 收藏
- 对比
PMCM440VNEZ
1729-PMCM440VNEZ
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
4-XFBGA, WLCSP
大陆
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MOSFET N-CH 12V 4WLCSP
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PMCM440VNEZ详情
Nexperia USA Inc. PMCM440VNEZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
13 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-XFBGA, WLCSP
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.9A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
400mW Ta 12.5W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
900mV @ 250μA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2015
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
参考标准
IEC-60134
JESD-30代码
S-PBGA-B4
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
67m Ω @ 3A, 4.5V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
360pF @ 6V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
8.2nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
12V
Vgs(最大值)
±8V
连续放电电流(ID)
3.9A
漏极-源极导通最大电阻
0.088Ohm
DS 击穿电压-最小值
12V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PMCM440VNEZ拓展信息
Nexperia USA Inc.
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