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PMCM6501VPEZ备选型号: FDME905PT
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- 包装
- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 端子位置
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET 12V P-Channel Trench MOSFET13 Weeks6-XFBGA, WLCSP表面贴装表面贴装556mW Ta 12.5W Tc2015Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJ活跃1 (Unlimited)未说明未说明P-Channel25m Ω @ 3A, 4.5V900mV @ 250μA1400pF @ 6V29.4nC @ 4.5V12V±8V6.2AROHS3 Compliant-------------------------------
MOSFET -12V P-Channel PowerTrench MOSFET16 Weeks6-PowerUFDFN表面贴装表面贴装8A Ta2017Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJ活跃1 (Unlimited)--P-Channel22m Ω @ 8A, 4.5V1V @ 250μA2315pF @ 6V20nC @ 4.5V-±8V8AROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 1 day ago)630mgSILICONPowerTrench®e4yes3EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)8541.29.00.95DUALS-PDSO-N3Single增强型MOSFET700mWDRAIN9.5 nsSWITCHING8ns42 ns-700mV8V8A0.022Ohm12V500μm1.6mm1.6mm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDME905PT | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 6-PowerUFDFN | MOSFET -12V P-Channel PowerTrench MOSFET | 对比 |
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