Nexperia USA Inc. PMCM6501VPEZ
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PMCM6501VPEZ
1729-PMCM6501VPEZ
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-XFBGA, WLCSP
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MOSFET 12V P-Channel Trench MOSFET
1最小包装量--
PMCM6501VPEZ详情
Nexperia USA Inc. PMCM6501VPEZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
13 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-XFBGA, WLCSP
Power Dissipation (Max)
556mW Ta 12.5W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
900mV @ 250μA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6.2A Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2015
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
25m Ω @ 3A, 4.5V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1400pF @ 6V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
29.4nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
12V
Vgs(最大值)
±8V
连续放电电流(ID)
6.2A
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PMCM6501VPEZ拓展信息
Nexperia USA Inc.
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