PMDPB28UN,115备选型号: PMDPB38UNE,115
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 操作温度
- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 引脚数量
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 场效应管特性
- RoHS状态
- MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6表面贴装6-UDFN Exposed Pad4.6A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012Obsolete1 (Unlimited)6510mW2 N-Channel (Dual)37m Ω @ 4.6A, 4.5V1V @ 250μA265pF @ 10V4.7nC @ 4.5V20V逻辑电平门ROHS3 Compliant
- MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6表面贴装6-UDFN Exposed Pad4A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012Obsolete1 (Unlimited)6510mW2 N-Channel (Dual)46m Ω @ 3A, 4.5V1V @ 250μA268pF @ 10V4.4nC @ 4.5V20V逻辑电平门ROHS3 Compliant
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PMV28UN,215 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-23 | 对比 |
![]() | PMDPB38UNE,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6 | 对比 |




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