PMDPB28UN,115备选型号: PMDPB38UNE,115

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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • NXP USA Inc.
    MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    4.6A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    510mW
    2 N-Channel (Dual)
    37m Ω @ 4.6A, 4.5V
    1V @ 250μA
    265pF @ 10V
    4.7nC @ 4.5V
    20V
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
  • NXP USA Inc.
    MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    4A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    510mW
    2 N-Channel (Dual)
    46m Ω @ 3A, 4.5V
    1V @ 250μA
    268pF @ 10V
    4.4nC @ 4.5V
    20V
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
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