NXP USA Inc. PMDPB38UNE,115
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PMDPB38UNE,115
1786-PMDPB38UNE,115
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-UDFN Exposed Pad
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MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6
1最小包装量--
PMDPB38UNE,115详情
NXP USA Inc. PMDPB38UNE,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-UDFN Exposed Pad
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4A
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
引脚数量
6
功率 - 最大
510mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
46m Ω @ 3A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
268pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
4.4nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PMDPB38UNE,115拓展信息
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