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PMDPB38UNE,115备选型号: PMPB20UN,115

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • Vgs（最大值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • NXP USA Inc.
    PMDPB38UNE,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    4A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    510mW
    2 N-Channel (Dual)
    46m Ω @ 3A, 4.5V
    1V @ 250μA
    268pF @ 10V
    4.4nC @ 4.5V
    20V
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PMPB20UN,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 20V 6.6A 6DFN
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    6.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    -
    N-Channel
    25m Ω @ 6.6A, 4.5V
    1V @ 250μA
    460pF @ 10V
    7.1nC @ 4.5V
    20V
    -
    ROHS3 Compliant
    YES
    SILICON
    e3
    6
    Tin (Sn)
    DUAL
    无铅
    IEC-60134
    S-PDSO-N6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    ±8V
    6.6A
    0.025Ohm
    27A
    20V
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