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PMDPB56XN,115备选型号: PMDPB70EN,115

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 最大功率耗散
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • NXP USA Inc.
    PMDPB56XN,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    3.1A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    510mW
    2 N-Channel (Dual)
    73m Ω @ 3.1A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    170pF @ 15V
    2.9nC @ 4.5V
    30V
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Nexperia USA Inc.
    PMDPB70EN,115
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    510mW
    2 N-Channel (Dual)
    57m Ω @ 3.5A, 10V
    2.5V @ 250μA
    130pF @ 15V
    4.5nC @ 10V
    -
    逻辑电平门
    符合RoHS标准
    6
    510mW
    Dual
    1.165W
    3 ns
    16ns
    5 ns
    3.5A
    20V
    30V
    30V
    无
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