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PMDPB56XN,115备选型号: PMDPB95XNE,115

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包装
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湿度敏感性等级(MSL)
引脚数量
功率 - 最大
场效应管类型
Rds On(Max)@Id,Vgs
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
漏源电压 (Vdss)
场效应管特性
RoHS状态

PMDPB56XN,115

NXP USA Inc.

MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6

表面贴装
6-UDFN Exposed Pad
3.1A
-55°C~150°C TJ
Tape & Reel (TR)
2012
Obsolete
1 (Unlimited)
6
510mW
2 N-Channel (Dual)
73m Ω @ 3.1A, 4.5V
1.5V @ 250μA
170pF @ 15V
2.9nC @ 4.5V
30V
逻辑电平门
ROHS3 Compliant
PMDPB95XNE,115

NXP USA Inc.

MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6

表面贴装
6-UDFN Exposed Pad
2.4A
-55°C~150°C TJ
Tape & Reel (TR)
2012
Obsolete
1 (Unlimited)
6
475mW
2 N-Channel (Dual)
120m Ω @ 2A, 4.5V
1.5V @ 250μA
143pF @ 15V
2.5nC @ 4.5V
30V
逻辑电平门
ROHS3 Compliant
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