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首页 全部分类 PMDXB600UNEZ vs PMN25UN,115

PMDXB600UNEZ备选型号: PMN25UN,115

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  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 源Url状态检查日期
  • Nexperia USA Inc.
    PMDXB600UNEZ
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
    4 Weeks
    表面贴装
    6-XFDFN Exposed Pad
    YES
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    TrenchFET®
    2015
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    Tin (Sn)
    265mW
    6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    5.6 ns
    265mW
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    620m Ω @ 600mA, 4.5V
    950mV @ 250μA
    21.3pF @ 10V
    0.7nC @ 4.5V
    9.2ns
    51 ns
    600mA
    8V
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PMN25UN,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP
    -
    表面贴装
    SC-74, SOT-457
    YES
    -
    SILICON
    6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2013
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    Tin (Sn)
    -
    6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    -
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    27m Ω @ 6A, 4.5V
    1V @ 250μA
    470pF @ 10V
    10nC @ 4.5V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    EAR99
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    IEC-60134
    R-PDSO-G6
    20V
    ±8V
    6A
    0.027Ohm
    20V
    2013-06-14 00:00:00
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PMN25UN,115 PMN25UN,115 NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 SC-74, SOT-457 MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP 对比