Nexperia USA Inc. PMDXB600UNEZ

工厂交货时间

4 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-XFDFN Exposed Pad

表面安装

YES

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

19 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchFET®

已出版

2015

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

265mW

引脚数量

6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

5.6 ns

功率 - 最大

265mW

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

620m Ω @ 600mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

950mV @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

21.3pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.7nC @ 4.5V

上升时间

9.2ns

下降时间（典型值）

51 ns

连续放电电流(ID)

600mA

栅极至源极电压(Vgs)

8V

最大双电源电压

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅