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PMF63UN,115备选型号: PMDPB38UNE,115

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包装/外壳
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包装
已出版
零件状态
湿度敏感性等级(MSL)
引脚数量
场效应管类型
Rds On(Max)@Id,Vgs
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
漏源电压 (Vdss)
Vgs（最大值）
源Url状态检查日期
RoHS状态
功率 - 最大
场效应管特性

PMF63UN,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 20V 1.8A SOT323

表面贴装
SC-70, SOT-323
1.8A Ta
-55°C~150°C TJ
Tape & Reel (TR)
2012
Obsolete
1 (Unlimited)
3
N-Channel
74m Ω @ 1.8A, 4.5V
1V @ 250μA
185pF @ 10V
3.3nC @ 4.5V
20V
±8V
2013-06-14 00:00:00
ROHS3 Compliant
-
-
PMDPB38UNE,115

NXP USA Inc.

MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6

表面贴装
6-UDFN Exposed Pad
4A
-55°C~150°C TJ
Tape & Reel (TR)
2012
Obsolete
1 (Unlimited)
6
2 N-Channel (Dual)
46m Ω @ 3A, 4.5V
1V @ 250μA
268pF @ 10V
4.4nC @ 4.5V
20V
-
-
ROHS3 Compliant
510mW
逻辑电平门
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图片	产品型号	品牌	分类	封装	描述	对比
	PMDPB38UNE,115	NXP USA Inc.	晶体管 - FET，MOSFET - 阵列	6-UDFN Exposed Pad	MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6	对比
	PMN25UN,115	NXP USA Inc.	晶体管 - FET，MOSFET - 单个	SC-74, SOT-457	MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP	对比