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首页 全部分类 PMG85XPH vs DMN2019UTS-13

PMG85XPH备选型号: DMN2019UTS-13

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 质量
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Nexperia USA Inc.
    PMG85XPH
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET P-CH 20V 2A SOT363
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    SILICON
    2A Tj
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    DUAL
    鸥翼
    6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    725mW
    13 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    115m Ω @ 2A, 4.5V
    1.15V @ 250μA
    560pF @ 10V
    7.2nC @ 4.5V
    35ns
    20V
    ±12V
    25 ns
    2A
    12V
    2A
    20V
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN2019UTS-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
    8
    -
    562 ns
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    53 ns
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    -
    18.5m Ω @ 7A, 10V
    950mV @ 250μA
    143pF @ 10V
    8.8nC @ 4.5V
    78ns
    20V
    -
    234 ns
    5.4A
    12V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    157.991892mg
    e3
    EAR99
    18.5mOhm
    Matte Tin (Sn)
    780mW
    DMN2019
    2
    Dual
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无SVHC
    无铅
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