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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.343969
10
¥2.21129
100
¥2.086122
500
¥1.96804
1000
¥1.856645
Nexperia USA Inc. PMG85XPH
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- 对比
PMG85XPH
1729-PMG85XPH
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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MOSFET P-CH 20V 2A SOT363
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PMG85XPH详情
Nexperia USA Inc. PMG85XPH重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2A Tj
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
375mW Ta 2.4W Tc
Turn Off Delay Time
39 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
引脚数量
6
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
725mW
接通延迟时间
13 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
115m Ω @ 2A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.15V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
560pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
7.2nC @ 4.5V
上升时间
35ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
25 ns
连续放电电流(ID)
2A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2A
DS 击穿电压-最小值
20V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PMG85XPH拓展信息
Nexperia USA Inc.
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