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PMGD280UN,115备选型号: PMN25UN,115

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  • 功率 - 最大
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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • Vgs（最大值）
  • 源Url状态检查日期
  • Nexperia USA Inc.
    PMGD280UN,115
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP
    4 Weeks
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    YES
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    TrenchMOS™
    1997
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.75
    鸥翼
    6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    400mW
    400mW
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    340m Ω @ 200mA, 4.5V
    1V @ 250μA
    45pF @ 20V
    0.89nC @ 4.5V
    20V
    870mA
    0.87A
    0.34Ohm
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PMN25UN,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP
    -
    表面贴装
    SC-74, SOT-457
    YES
    -
    SILICON
    6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2013
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    鸥翼
    6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    27m Ω @ 6A, 4.5V
    1V @ 250μA
    470pF @ 10V
    10nC @ 4.5V
    20V
    -
    6A
    0.027Ohm
    20V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    DUAL
    未说明
    未说明
    IEC-60134
    R-PDSO-G6
    ±8V
    2013-06-14 00:00:00
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