Nexperia USA Inc. PMGD280UN,115

工厂交货时间

4 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

表面安装

YES

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchMOS™

已出版

1997

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.75

终端形式

鸥翼

引脚数量

6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

400mW

功率 - 最大

400mW

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

340m Ω @ 200mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

45pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.89nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

连续放电电流(ID)

870mA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.87A

漏极-源极导通最大电阻

0.34Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

ROHS3 Compliant