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首页 全部分类 PMPB10XNE,115 vs PMDPB38UNE,115

PMPB10XNE,115备选型号: PMDPB38UNE,115

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  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 引脚数量
  • 功率 - 最大
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 场效应管特性
  • Nexperia USA Inc.
    PMPB10XNE,115
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN
    8 Weeks
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    YES
    6
    SILICON
    9A Ta
    700mV @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    Tin (Sn)
    DUAL
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    14m Ω @ 9A, 4.5V
    2175pF @ 10V
    34nC @ 4.5V
    35ns
    ±12V
    50 ns
    9A
    650mV
    20V
    9A
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PMDPB38UNE,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6
    -
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    -
    -
    -
    4A
    -
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2 N-Channel (Dual)
    -
    46m Ω @ 3A, 4.5V
    268pF @ 10V
    4.4nC @ 4.5V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    6
    510mW
    1V @ 250μA
    20V
    逻辑电平门
  • 添加型号
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