Nexperia USA Inc. PMPB10XNE,115
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PMPB10XNE,115
1729-PMPB10XNE,115
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-UDFN Exposed Pad
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MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN
1最小包装量--
PMPB10XNE,115详情
Nexperia USA Inc. PMPB10XNE,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-UDFN Exposed Pad
表面安装
YES
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
9A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.7W Ta 12.5W Tc
Turn Off Delay Time
54 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
700mV @ 250μA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
13 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
14m Ω @ 9A, 4.5V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2175pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
34nC @ 4.5V
上升时间
35ns
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
50 ns
连续放电电流(ID)
9A
栅极至源极电压(Vgs)
650mV
最大双电源电压
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
9A
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PMPB10XNE,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
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