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首页 全部分类 PMPB10XNEZ vs DMN2013UFDE-7

PMPB10XNEZ备选型号: DMN2013UFDE-7

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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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  • 终止次数
  • 端子位置
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 长度
  • 高度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Nexperia USA Inc.
    PMPB10XNEZ
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 20V SOT1220
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    6
    SILICON
    1
    900mV @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    DUAL
    无铅
    未说明
    未说明
    IEC-60134
    S-PDSO-N6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    14m Ω @ 9A, 4.5V
    2175pF @ 10V
    34nC @ 4.5V
    20V
    ±12V
    9A
    9A
    0.014Ohm
    36A
    20V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN2013UFDE-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    6
    SILICON
    660mW Ta
    1.1V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    BOTTOM
    -
    260
    40
    -
    S-PBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    11m Ω @ 8.5A, 4.5V
    2453pF @ 10V
    25.8nC @ 8V
    20V
    ±8V
    10.5A
    -
    -
    -
    20V
    ROHS3 Compliant
    e4
    yes
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    1
    9.9 ns
    24.5ns
    20.8 ns
    8V
    2.05mm
    580μm
    2.05mm
    无SVHC
    无
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