PMPB10XNEZ备选型号: FDMA0104

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • 供应商器件包装
  • 质量
  • 系列
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 20V SOT1220
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    6
    SILICON
    1
    900mV @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    DUAL
    无铅
    未说明
    未说明
    IEC-60134
    S-PDSO-N6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    14m Ω @ 9A, 4.5V
    2175pF @ 10V
    34nC @ 4.5V
    20V
    ±12V
    9A
    9A
    0.014Ohm
    36A
    20V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET 20V Single NCh PowerTrench
    -
    表面贴装
    表面贴装
    6-WDFN Exposed Pad
    6
    -
    9.4A Ta
    1V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
    1680pF @ 10V
    17.5nC @ 4.5V
    20V
    -
    9.4A
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    6-MicroFET (2x2)
    30mg
    PowerTrench®
    150°C
    -55°C
    Single
    700mW
    9 ns
    6ns
    6 ns
    8V
    20V
    1.68nF
    14.5mOhm
    14.5 mΩ
    750μm
    2mm
    2mm
    无
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