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PMPB15XN,115备选型号: PMV16UN,215
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- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- RoHS状态
- 漏源电压 (Vdss)
- 源Url状态检查日期
MOSFET N-CH 20V 7.3A 6DFN8 Weeks表面贴装6-UDFN Exposed PadYES6SILICON7.3A Ta900mV @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012e3活跃1 (Unlimited)6Tin (Sn)DUAL无铅SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING21m Ω @ 7.3A, 4.5V1240pF @ 10V20.2nC @ 4.5V±12V7.3A20V0.021Ohm24AROHS3 Compliant--
MOSFET Small Signal MOSFET-表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3-3-5.8A Ta1V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011-Obsolete1 (Unlimited)-------N-Channel-18m Ω @ 5.8A, 4.5V670pF @ 10V11nC @ 4.5V±8V----ROHS3 Compliant20V2013-06-14 00:00:00- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | PMDPB38UNE,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6 | 对比 |
 | PMN25UN,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SC-74, SOT-457 | MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP | 对比 |
 | PMPB20UN,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET N-CH 20V 6.6A 6DFN | 对比 |
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