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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.871561
10
¥3.652418
100
¥3.445678
500
¥3.25064
1000
¥3.06664
Nexperia USA Inc. PMPB15XN,115
- 收藏
- 对比
PMPB15XN,115
1729-PMPB15XN,115
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-UDFN Exposed Pad
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MOSFET N-CH 20V 7.3A 6DFN
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PMPB15XN,115详情
Nexperia USA Inc. PMPB15XN,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-UDFN Exposed Pad
表面安装
YES
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
7.3A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.7W Ta 12.5W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
900mV @ 250μA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
21m Ω @ 7.3A, 4.5V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1240pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
20.2nC @ 4.5V
Vgs(最大值)
±12V
连续放电电流(ID)
7.3A
最大双电源电压
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.021Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
24A
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PMPB15XN,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
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