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首页 全部分类 PMPB95ENEAX vs DMN62D0LFB-7

PMPB95ENEAX备选型号: DMN62D0LFB-7

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  • 安装类型
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  • 包装
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  • 零件状态
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  • 终止次数
  • 端子位置
  • 引脚数量
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Nexperia USA Inc.
    PMPB95ENEAX
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 80V 2.8A SOT1220
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    SILICON
    2.8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    DUAL
    6
    AEC-Q101; IEC-60134
    S-PDSO-N6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    105m Ω @ 2.8A, 10V
    2.7V @ 250μA
    504pF @ 40V
    14.9nC @ 10V
    4ns
    80V
    ±20V
    7 ns
    2.8A
    20V
    0.105Ohm
    11.2A
    80V
    19.3 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN62D0LFB-7
    Diodes Incorporated
    Trans MOSFET N-CH 60V 0.1A Automotive 3-Pin DFN T/R
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-UFDFN
    SILICON
    100mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    BOTTOM
    3
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    3.4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2 Ω @ 100mA, 4V
    1V @ 250μA
    32pF @ 25V
    0.45nC @ 4.5V
    3.4ns
    60V
    ±20V
    16.3 ns
    100mA
    20V
    2Ohm
    -
    60V
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    Gold
    3
    e4
    yes
    EAR99
    HIGH RELIABILITY
    1
    Single
    470mW
    6 pF
    无SVHC
    无铅
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