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PMV117EN,215备选型号: FDN361BN
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- 描述:
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- JEDEC-95代码
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 引脚数
- 质量
- 无铅代码
- 附加功能
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
MOSFET TAPE13 PWR-MOS表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3YESSILICON2.5A Tc-65°C~150°C TJTape & Reel (TR)TrenchMOS™2005e3Obsolete1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)8541.29.00.75DUAL鸥翼260403R-PDSO-G3不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING117m Ω @ 500mA, 10V2V @ 1mA147pF @ 10V4.6nC @ 10V30V±20VTO-236AB2.5A0.19Ohm30VROHS3 Compliant----------------------
MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3-SILICON1.4A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2017e3活跃1 (Unlimited)3EAR99--DUAL鸥翼未说明未说明--不合格-增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING110m Ω @ 1.4A, 10V3V @ 250μA193pF @ 15V1.8nC @ 4.5V-±20V----ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 7 hours ago)10 WeeksTin表面贴装330mgyes快速切换Single500mW3 ns8ns8 ns1.4A2.1V20V30V940μm1.4mm2.92mm无SVHC无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | ZXMN3A01FTA | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3 | 对比 |
| FDN361BN | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3 | 对比 |
| FDN357N | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3 | 对比 |
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