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首页 全部分类 PMV250EPEAR vs IRLML2803TRPBF

PMV250EPEAR备选型号: IRLML2803TRPBF

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 系列
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  • 终端
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  • 电阻
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  • 额定电流
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
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  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 最小击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Nexperia USA Inc.
    PMV250EPEAR
    Nexperia USA Inc.
    In a Pack of 100, P-Channel MOSFET, 1.5 A, 40 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia PMV250EPEAR
    4 Weeks
    Tin
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    表面贴装
    表面贴装
    3
    SILICON
    1.5A Ta
    2014
    Cut Tape (CT)
    -55°C~150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    逻辑电平兼容
    DUAL
    鸥翼
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    4 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    240m Ω @ 1.3A, 10V
    2.5V @ 250μA
    450pF @ 20V
    6nC @ 10V
    6ns
    40V
    ±20V
    14 ns
    1.5A
    20V
    0.24Ohm
    40V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
  • Infineon Technologies
    IRLML2803TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23
    12 Weeks
    Tin
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    表面贴装
    表面贴装
    3
    SILICON
    1.2A Ta
    2007
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    增强型MOSFET
    3.9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    250m Ω @ 910mA, 10V
    1V @ 250μA
    85pF @ 25V
    5nC @ 10V
    4ns
    -
    ±20V
    1.7 ns
    1.2A
    20V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Micro3
    HEXFET®
    e3
    SMD/SMT
    EAR99
    250mOhm
    30V
    1.2A
    1
    Single
    540mW
    1V
    30V
    30V
    150°C
    1 V
    30V
    1.12mm
    3.0226mm
    1.397mm
    无SVHC
    无
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