PMV30XN,215备选型号: PMPB20UN,115

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  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
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  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 源Url状态检查日期
  • RoHS状态
  • 箱体转运
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • NXP USA Inc.
    N-Channel 20V 3.2A (Ta) 380mW (Ta) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    YES
    SILICON
    3.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    3
    IEC-60134
    R-PDSO-G3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    SWITCHING
    35m Ω @ 3.2A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    420pF @ 15V
    7.4nC @ 4.5V
    20V
    ±12V
    TO-236AB
    3.2A
    0.035Ohm
    20V
    2013-06-14 00:00:00
    ROHS3 Compliant
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 20V 6.6A 6DFN
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    YES
    SILICON
    6.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    Tin (Sn)
    DUAL
    无铅
    6
    IEC-60134
    S-PDSO-N6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    SWITCHING
    25m Ω @ 6.6A, 4.5V
    1V @ 250μA
    460pF @ 10V
    7.1nC @ 4.5V
    20V
    ±8V
    -
    6.6A
    0.025Ohm
    20V
    -
    ROHS3 Compliant
    DRAIN
    27A
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