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PMXB65UPEZ备选型号: DMP1046UFDB-7
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- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 场效应管特性
NEXPERIA - PMXB65UPEZ - Transistor MOSFET, Canal P, -3.2 A, -12 V, 0.059 ohm, -4.5 V, -680 mV4 Weeks3-XDFN Exposed Pad表面贴装表面贴装DFN1010D-31V @ 250μA317mW Ta 8.33W Tc2014Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJ活跃1 (Unlimited)150°C-55°CP-Channel72mOhm @ 3.2A, 4.5V634pF @ 6V12nC @ 4.5V12V±8V3.2A634pF59mOhm72 mΩROHS3 Compliant--------------------
MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN15 Weeks6-UDFN Exposed Pad表面贴装表面贴装--22015Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJ活跃1 (Unlimited)--2 P-Channel (Dual)61m Ω @ 3.6A, 4.5V915pF @ 6V17.9nC @ 8V12V-3.8A---ROHS3 CompliantSILICONe46EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)1.4W无铅未说明未说明S-PDSO-N6SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN1.4WSWITCHING1V @ 250μA0.061Ohm12VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandard- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMP1046UFDB-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN | 对比 |
 | MCH6320-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 6-SMD, Flat Leads | MOSFET P-CH 12V 3.5A MCPH6 | 对比 |
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