Nexperia USA Inc. PMXB65UPEZ
- 收藏
- 对比
PMXB65UPEZ
1729-PMXB65UPEZ
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
3-XDFN Exposed Pad
大陆
立即发货

NEXPERIA - PMXB65UPEZ - Transistor MOSFET, Canal P, -3.2 A, -12 V, 0.059 ohm, -4.5 V, -680 mV
--最小包装量--
PMXB65UPEZ详情
Nexperia USA Inc. PMXB65UPEZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
包装/外壳
3-XDFN Exposed Pad
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
供应商器件包装
DFN1010D-3
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
1V @ 250μA
Power Dissipation (Max)
317mW Ta 8.33W Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.2A Ta
已出版
2014
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~150°C TJ
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
72mOhm @ 3.2A, 4.5V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
634pF @ 6V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
12nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
12V
Vgs(最大值)
±8V
连续放电电流(ID)
3.2A
输入电容
634pF
漏源电阻
59mOhm
最大rds
72 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PMXB65UPEZ拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.









哦! 它是空的。