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首页 全部分类 PMZ550UNEYL vs DMN63D8LDW-7

PMZ550UNEYL备选型号: DMN63D8LDW-7

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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 接通延迟时间
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 最大结点温度（Tj）
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Nexperia USA Inc.
    PMZ550UNEYL
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 30V SOT883
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-101, SOT-883
    3
    SILICON
    590mA Ta
    950mV @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    BOTTOM
    无铅
    IEC-60134
    R-PBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    670m Ω @ 590mA, 4.5V
    30.3pF @ 15V
    1.1nC @ 4.5V
    30V
    ±8V
    590mA
    0.59A
    0.67Ohm
    30V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN63D8LDW-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    SILICON
    2
    -
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    -
    鸥翼
    AEC-Q101
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    2.8 Ω @ 250mA, 10V
    22pF @ 25V
    870nC @ 10V
    30V
    -
    220mA
    -
    4.5Ohm
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    6.010099mg
    e3
    yes
    EAR99
    HIGH RELIABILITY
    300mW
    260
    40
    DMN63D8L
    Dual
    300mW
    3.3 ns
    1.5V @ 250μA
    3.2ns
    6.3 ns
    1.5V
    20V
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
    逻辑电平门
    1.1mm
    2.2mm
    1.35mm
    无SVHC
    无
    无铅
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