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首页 全部分类 PMZ550UNEYL vs IRLML5103TRPBF

PMZ550UNEYL备选型号: IRLML5103TRPBF

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  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 最小击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Nexperia USA Inc.
    PMZ550UNEYL
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 30V SOT883
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-101, SOT-883
    3
    SILICON
    590mA Ta
    950mV @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    BOTTOM
    无铅
    IEC-60134
    R-PBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    670m Ω @ 590mA, 4.5V
    30.3pF @ 15V
    1.1nC @ 4.5V
    30V
    ±8V
    590mA
    0.59A
    0.67Ohm
    30V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLML5103TRPBF
    Infineon Technologies
    INFINEON IRLML5103PBF MOSFET Transistor, P Channel, 610 mA, -30 V, 600 mohm, -10 V, -1 V
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SILICON
    760mA Ta
    1V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    P-Channel
    SWITCHING
    600m Ω @ 600mA, 10V
    75pF @ 25V
    5.1nC @ 10V
    -
    ±20V
    -760mA
    0.76A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Micro(SOT23)
    HEXFET®
    e3
    SMD/SMT
    EAR99
    600mOhm
    Matte Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    -30V
    260
    -610mA
    30
    不合格
    Single
    540mW
    10 ns
    8.2ns
    16 ns
    -1V
    20V
    -30V
    -30V
    -1 V
    30V
    1.016mm
    3.0226mm
    1.397mm
    无SVHC
    无铅
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