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首页 全部分类 PMZ950UPEYL vs DMP21D5UFD-7

PMZ950UPEYL备选型号: DMP21D5UFD-7

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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
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  • 端子位置
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  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 漏源击穿电压
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Nexperia USA Inc.
    PMZ950UPEYL
    Nexperia USA Inc.
    Single P-Channel 20 V 1.4 Ohm 2.1 nC SMT Trench MOSFET - DFN1006-3
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-101, SOT-883
    3
    SILICON
    500mA Ta
    950mV @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    1.02Ohm
    BOTTOM
    无铅
    IEC-60134
    R-PBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    2.3 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    1.4 Ω @ 500mA, 4.5V
    43pF @ 10V
    2.1nC @ 4.5V
    5ns
    20V
    ±8V
    6 ns
    500mA
    8V
    0.5A
    20V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMP21D5UFD-7
    Diodes Incorporated
    Trans MOSFET P-CH 20V 0.6A T/R
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-UDFN
    3
    -
    400mW Ta
    1V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2012
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    8.5 ns
    P-Channel
    -
    1 Ω @ 100mA, 4.5V
    46.1pF @ 10V
    800nC @ 8V
    4.3ns
    20V
    ±8V
    19.2 ns
    600mA
    8V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    e4
    yes
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    260
    40
    1
    -20V
    无SVHC
    无铅
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